بررسی برهمکنش تبادلی بر امپدانس مغناطیسی فرکانس بالا در سیم های نازک

لایه‌های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه‌های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنها مد نظر می‌باشد. هدف، حل معالات موج ماکسول و لاندائو-لیفشیتز در مختصات استوانه ای و بررسی معادلات دینامیکی مغناطش ساختارهای مغناطیسی فوق، تحت میدانهای متناوب با فرکانس مایکروویو و میدان مغناطیسی یکنواخت در حد اشباع ماده می باشد. به ویژه تمرکز بر وارد نمودن ثابت تبادلی بر امپدانس مغناطیسی است که باعث ایجاد امواج اسپینی در دو حالت رزونانس و آنتی‌رزونانس علاوه بر امواج الکترومغناطیس در این ساختارها می‌شود. در نهایت، با استفاده از پارامترهای مؤثر در امپدانس مغناطیسی، پاسخ ماده برای استفاده در مدارهای الکترونیکی و حسگرهای مغناطیسی بررسی می شود.